曝20周年版iPhone首發(fā)HBM內(nèi)存：性能最激進(jìn)的蘋(píng)果手機(jī)快訊
若蘋(píng)果在2027年iPhone產(chǎn)品線中采用這項(xiàng)技術(shù)，蘋(píng)果希望通過(guò)將移動(dòng)HBM與iPhone的GPU單元連接來(lái)增強(qiáng)設(shè)備端AI能力，報(bào)道稱(chēng)蘋(píng)果已與三星電子和SK海力士等主要內(nèi)存供應(yīng)商討論該計(jì)劃。
5月15日消息，據(jù)媒體報(bào)道，蘋(píng)果正在為20周年iPhone研發(fā)多項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，其中HBM內(nèi)存被視為關(guān)鍵發(fā)展方向之一。
據(jù)悉，HMB全稱(chēng)是High Bandwidth Memory，中文名為“高帶寬內(nèi)存”，這是一種全新的基于3D堆棧技術(shù)的高性能DRAM。
它能提高數(shù)據(jù)吞吐量，同時(shí)降低功耗并縮小內(nèi)存芯片體積，目前主要應(yīng)用于AI服務(wù)器，蘋(píng)果希望通過(guò)將移動(dòng)HBM與iPhone的GPU單元連接來(lái)增強(qiáng)設(shè)備端AI能力，這項(xiàng)技術(shù)對(duì)于端側(cè)AI大模型至關(guān)重要，可避免電量過(guò)快耗盡，還能降低延遲。
具體來(lái)說(shuō)，HBM采用TSV工藝進(jìn)行3D堆疊，有效提升帶寬，實(shí)現(xiàn)更高的集成度，通過(guò)與處理器相同的“Interposer”中間介質(zhì)層與計(jì)算芯片實(shí)現(xiàn)緊湊連接，一方面既節(jié)省了芯片面積，另一方面又顯著減少了數(shù)據(jù)傳輸時(shí)間。
報(bào)道稱(chēng)蘋(píng)果已與三星電子和SK海力士等主要內(nèi)存供應(yīng)商討論該計(jì)劃，三星正在開(kāi)發(fā)名為VCS的封裝方案，而SK海力士則采用VFO技術(shù)，兩家公司都計(jì)劃在2026年后量產(chǎn)。
不過(guò)移動(dòng)HBM面臨諸多挑戰(zhàn)，一是制造成本遠(yuǎn)高于現(xiàn)有的LPDDR內(nèi)存，二是iPhone是一款輕薄設(shè)備，散熱是一項(xiàng)重要挑戰(zhàn)；三是3D堆疊和TSV工藝采用高度復(fù)雜的封裝工藝，良率也是一大挑戰(zhàn)。
若蘋(píng)果在2027年iPhone產(chǎn)品線中采用這項(xiàng)技術(shù)，這將成為20周年紀(jì)念機(jī)型的又一創(chuàng)新之舉，傳聞這款里程碑產(chǎn)品還將配備完全無(wú)邊框的顯示屏，展現(xiàn)蘋(píng)果在智能手機(jī)領(lǐng)域持續(xù)突破的決心。（振亭）
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