Intel、臺積電、三星激戰(zhàn)2nm 三巨頭先進(jìn)工藝制程進(jìn)度一覽快訊
業(yè)界解讀Intel此舉在向臺積電、三星等競爭對手展示技術(shù)肌肉，將會比臺積電2nm更早導(dǎo)入晶背供電技術(shù)，18A將是其反超臺積電、重奪半導(dǎo)體工藝世界第一的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。
4月3日消息，日前舉辦的Vision 2025大會上，Intel正式宣布18A工藝制程技術(shù)已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)階段。預(yù)計(jì)今年下半年首發(fā)該工藝的Panther Lake處理器將進(jìn)行大批量生產(chǎn)。
此舉為“四年五個(gè)節(jié)點(diǎn)（5N4Y）”計(jì)劃立下關(guān)鍵里程碑。按照Intel的愿景，18A將是其反超臺積電、重奪半導(dǎo)體工藝世界第一的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。
值得關(guān)注的是，此為新任華人CEO陳立武接棒后首度公開亮相，業(yè)界解讀Intel此舉在向臺積電、三星等競爭對手展示技術(shù)肌肉。
Intel 18A工藝將全球首次同時(shí)采用PowerVia背面供電和RibbonFET柵極環(huán)繞（GAA）晶體管技術(shù)，臺積電則會在今年下半年2nm使用Nanosheet晶體管技術(shù)、2026年下半年導(dǎo)入超級電軌（Super Power Rail），2027年進(jìn)行1.4nm風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。
半導(dǎo)體從業(yè)者透露，若Intel 18A推進(jìn)順利，將會比臺積電2nm更早導(dǎo)入晶背供電技術(shù)。
至于三星，雖然最早導(dǎo)入GAAFET晶體管技術(shù)，但良率始終未達(dá)量產(chǎn)水準(zhǔn)。目前則主要關(guān)注三星自家Exynos 2600芯片，是否會在5月投入生產(chǎn)。
不過，三星預(yù)計(jì)2027年才會在SF2Z加上背面供電技術(shù)，推進(jìn)上較競爭對手相對緩慢。
在三巨頭往2nm前進(jìn)之際，日本Rapidus也不容小覷。據(jù)悉，其北海道千歲市的2nm晶圓廠試產(chǎn)產(chǎn)線計(jì)劃將在本月啟用，瞄準(zhǔn)2027年開始量產(chǎn)。
綜合來看，臺積電在先進(jìn)工藝制程上有比較明顯的速度優(yōu)勢，Intel正在新CEO的帶領(lǐng)下奮起直追，成敗關(guān)鍵就看18A是否能如期量產(chǎn)達(dá)成目標(biāo)。（朝暉）
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