三星開發出全球最小的DRAM芯片，速度提升10%通信
導讀
12月20日消息，路透社報道稱，三星電子表示，其已開發出全球最小的動態隨機存取記憶體(DRAM)芯片，較競爭對手的技術領先優勢擴大。
12月20日消息，路透社報道稱，三星電子表示，其已開發出全球最小的動態隨機存取記憶體(DRAM)芯片，較競爭對手的技術領先優勢擴大。
三星電子稱使用第二代10納米級工藝生產出了8Gb DDR4芯片，第二代10納米級芯片比第一代芯片快10%，功耗降低15%。
受半導體業務帶動，該公司今年營業利潤料創下紀錄高位。
三星在聲明中稱，“第二代”10納米級8Gb DRAM芯片的功耗和數據處理性能均改善，將用于云計算中心、移動設備和高速顯卡等高端數據處理電子產品。
三星稱，將在2018年把多數現有DRAM生產轉為10納米級芯片。該公司在電腦芯片、電視和智能手機行業全球領先。
三星電子記憶芯片部門(Memory Business)總裁Gyoyoung Jin稱，這一“積極的”生產擴張，將“適應市場的旺盛需求。”
三星電子在10月底任命了半導體等三個主要業務部門新一代高管后，稱，眼下不會尋求擴大芯片出貨，但著重于投資，以維護長期市場地位。
（來源：騰訊科技）
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