三星電子否認自家 HBM 內存芯片未通過英偉達測試快訊
導讀
此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內存（HBM）芯片尚未通過英偉達測試，三星最近開始批量生產其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產品，三星電子發布聲明否認了相關報道。
IT之家 5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內存（HBM）芯片尚未通過英偉達測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發熱和功耗問題而受到影響。
不過據韓媒 Business Korea 報道，三星電子發布聲明否認了相關報道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進行 HBM 芯片測試過程”，同時強調“他們正與其他商業伙伴持續合作，以確保產品質量和可靠性”。
三星最近開始批量生產其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產品。在目前已量產的 HBM3E 上，三星并未像競爭對手 SK 海力士、美光那樣采用 1b nm 制程 DRAM 裸片，而是仍使用 1a nm 顆粒，在能耗方面處于劣勢。加上本次出現的相關負面輿論，這導致一些分析師懷疑三星“是否有能力從 SK 海力士處迅速奪回市場份額”。
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