三星電子芯片業務部門主管上周曾前往英偉達 攜帶新設計1b DRAM樣品快訊
但英偉達還是要求他們采用1b DRAM制造HBM3E，英偉達也因此要求三星電子改進他們1b DRAM的設計，已經在向英偉達供應1b DRAM制造的HBM3E。
【TechWeb】2月20日消息，據外媒報道，三星電子副會長兼聯席CEO，負責存儲芯片、晶圓代工等芯片業務的設備解決方案業務部門主管全永鉉（Jun Young Hyun），在上周到訪了英偉達的總部。
從外媒的報道來看，全永鉉上周前往英偉達的總部，是有重要的業務，他攜帶有他們改進了設計的1b DRAM樣品，1b DRAM將用于制造高帶寬存儲器（HBM）。
1b DRAM是第五代10nm制程工藝的DRAM，主要是用于制造HBM3E，三星電子去年打算開始用1b DRAM制造高帶寬存儲器，但遇到了良品率和過熱的問題，英偉達也因此要求三星電子改進他們1b DRAM的設計。全永鉉上周前往英偉達總部所攜帶的樣品，正是設計改進后的成果。
外媒在報道中提到，三星電子芯片業務部門的主管親自向客戶展示樣品非常罕見，但這也凸顯了他們對英偉達及HBM3E訂單的重視。全永鉉親自到英偉達總部，很可能還是為了確保來自英偉達的訂單。
在報道中，外媒還提到，在1b DRAM出現良品率和過熱的問題之后，三星電子曾打算采用1a DRAM，也就是1b DRAM的前一代，制造HBM3E，在HBM4上則是跳過1b DRAM，采用1c DRAM，但英偉達還是要求他們采用1b DRAM制造HBM3E，三星電子方面也因此對1b DRAM的設計進行改進，以克服所遇到的問題。
HBM是英偉達為OpenAI、Meta、xAI等廠商供應的人工智能芯片的重要組成部分，較DRAM價格更高，如果能獲得英偉達的大單，就將大幅提升業績。
與三星電子還在向英偉達提供樣品、尋求獲得訂單不同，他們的競爭對手SK海力士，已經在向英偉達供應1b DRAM制造的HBM3E。（海藍）
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