三星電子在硅谷設立新實驗室，負責下一代 3D DRAM 內存研發(fā)快訊
三星去年 9 月推出了業(yè)界首款且容量最高的 32 Gb DDR5 DRAM 芯片，三星官網(wǎng) DDR5 SDRAM 產(chǎn)品都是 16Gb 產(chǎn)品，三星電子的目標是主導 DRAM 3D 垂直結構的開發(fā)。
IT之家 1 月 28 日消息，三星電子稱其已經(jīng)在美國硅谷開設了一個新的 R&D 研究實驗室，專注于下一代 3D DRAM 芯片的開發(fā)。
該實驗室位于硅谷 Device Solutions America（DSA）運營之下，負責監(jiān)督三星在美國的半導體生產(chǎn)，并致力于開發(fā)新一代的 DRAM 產(chǎn)品，以幫助三星繼續(xù)引領全球 3D DRAM 市場。
三星去年 9 月推出了業(yè)界首款且容量最高的 32 Gb DDR5 DRAM 芯片，采用 12nm 級工藝打造，可生產(chǎn)出 1TB 的內存產(chǎn)品，從而鞏固了三星在 DRAM 技術方面的領導地位。
IT之家注：Gb 即兆位（G bit），是 DRAM 密度單位，與 GB（G Byte）不同。一根內存條有多枚 DRAM 芯片，這些 DRAM 顆粒組合起來就是 Rank（內存區(qū)塊），大家常見的邏輯容量主要包括 8GB、16GB、32GB 這些，但也有 128GB 的服務器級內存，其中就使用了不等數(shù)量的 DRAM 芯片，目前美光官網(wǎng)列出的 DDR5 SDRAM 產(chǎn)品都是 16Gb 和 24Gb 產(chǎn)品，三星官網(wǎng) DDR5 SDRAM 產(chǎn)品都是 16Gb 產(chǎn)品，SK 海力士也是 16Gb 產(chǎn)品。
基于 2013 年全球首款 3D 垂直結構 NAND（3D V-NAND）商業(yè)化的成功經(jīng)驗，三星電子的目標是主導 DRAM 3D 垂直結構的開發(fā)。
在去年 10 月舉行的“內存技術日”活動上，三星電子宣布計劃在下一代 10 納米或更低的 DRAM 中引入新的 3D 結構，而不是現(xiàn)有的 2D 平面結構。該計劃旨在克服 3D 垂直結構縮小芯片面積的限制并提高性能，將一顆芯片的容量增加 100G 以上。
三星電子去年在日本舉行的“VLSI 研討會”上發(fā)表了一篇包含 3D DRAM 研究成果的論文，并展示了作為實際半導體實現(xiàn)的 3D DRAM 的詳細圖像。
分析師預計，3D DRAM 市場將在未來幾年快速增長，到 2028 年將達到 1000 億美元。三星和其他主要內存芯片制造商正在激烈競爭，以引領這一快速增長的市場。
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