三星電子已在硅谷新設實驗室 專注于下一代3D DRAM研發快訊
導讀
報道三星電子已在硅谷新設實驗室的，而已連續30年是全球最大DRAM廠商的三星電子，三星電子新設立的這一研發實驗室。
【TechWeb】1月29日消息，據外媒報道，自1993年市場份額超過東芝以來，三星電子在隨后的30年，一直是全球最大的DRAM制造商，市場份額要明顯高于其他廠商。
而已連續30年是全球最大DRAM廠商的三星電子，仍在不斷開發新的技術、新的產品，以保持他們在這一領域的優勢。外媒最新的報道就顯示，三星電子已在硅谷，新設研發實驗室，專注于下一代3D DRAM的研發。
外媒是援引業內的消息，報道三星電子已在硅谷新設實驗室的。新的實驗室，在設備解決方案部門美國分部在硅谷的總部之下運營，由三星電子設備解決方案部門首席技術官、半導體研發機構的主管Song Jae-hyeok領導。
在報道中，外媒還提到，三星電子新設立的這一研發實驗室，將研發更先進的DRAM產品，以便他們引領全球3D存儲芯片市場。
作為當前全球最大的存儲芯片制造商，三星電子在2013年，就已在業內率先將3D垂直結構NAND閃存芯片商業化，他們也計劃將3D結構用于DRAM。在去年10月份，三星電子就曾表示，他們準備將新的3D結構用于10nm及以下制程工藝的DRAM，能大幅提升單顆芯片的容量，達到100G以上。
在三星電子去年于日本舉行的“VLSI 研討會”上，他們發表了一篇包含3D DRAM研究成果的論文，并提供了作為實際半導體實現的3D DRAM的詳細圖像。
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