三星計劃明年初量產超過300層的第九代V-NAND閃存，號稱層數(shù)業(yè)內最多快訊
三星正在研發(fā)擁有超過 300 層的第九代 V-NAND，其正在按計劃生產擁有超過 300 層的第九代 V-NAND 閃存，目前還不知道三星的第九代 V-NAND 在性能方面會有什么表現(xiàn)。
10 月 19 日消息，三星是全球最大的 NAND 閃存供應商，對其 V-NAND（即三星稱之為的 3D NAND）的發(fā)展有著宏大的計劃，本周三星分享了一些相關信息。該公司證實，其正在按計劃生產擁有超過 300 層的第九代 V-NAND 閃存，并表示這將是業(yè)內層數(shù)最多的 3D NAND。
“第九代 V-NAND 基于雙層結構，層數(shù)達到業(yè)界最高水平，明年初將開始量產?！比请娮涌偛眉娲鎯ζ魇聵I(yè)部負責人李政培（Lee Jung-Bae）在博客文章中寫道。
注意到，8 月份就有消息稱，三星正在研發(fā)擁有超過 300 層的第九代 V-NAND，將繼續(xù)采用三星在 2020 年首次使用的雙層技術。而且三星現(xiàn)在表示其 3D NAND 的有效層數(shù)將超過競爭對手，目前我們知道 SK 海力士的下一代 3D NAND 將具有 321 層，因此三星第九代 V-NAND 層數(shù)應該會更多。
層數(shù)的增加將使三星提高其 3D NAND 設備的存儲密度。該公司預計，未來的閃存類型不僅會提高存儲密度，還會提高性能。
“三星還在研究下一代創(chuàng)造價值的技術，包括一種新的結構，可以最大化 V-NAND 的輸入 / 輸出（I / O）速度?！崩钫嗾f。
目前還不知道三星的第九代 V-NAND 在性能方面會有什么表現(xiàn)，不過相信該公司會使用這種存儲器來生產其即將推出的固態(tài)硬盤，可能會采用 PCIe Gen5 接口。
至于更長期的技術創(chuàng)新，三星致力于最小化單元干擾、降低高度和最大化垂直層數(shù)，這將使其能夠實現(xiàn)業(yè)內最小的單元尺寸。這些創(chuàng)新將對推動三星實現(xiàn)擁有超過 1000 層的 3D NAND 以及高度差異化的存儲器解決方案的愿景起到關鍵作用。
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