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存儲器漲價從2016年下半年開始，根據ICInsights的預計，2017年內存(DRAM)價格漲幅將達到39%，閃存(Flash)漲幅也有望達到25%。這是由于需求增長和供給收縮。一方面，國產品牌手機出貨量持續增長，以及新一代iPhone產品推出，存儲器產能正被大量消耗;另一方面，以三星、海力士為代表的企業正投入一場存儲器創新競賽，將二維閃存(2DNANDFlash)轉移至三維閃存(3DNANDFlash)的技術革命，這導致產能增長放緩。

這是一個得存儲器者得天下的時代。存儲器被普遍稱為“半導體產業的皇冠”，如今正成為手機、電腦等產品硬件配置升級的重要賣點。在全球存儲器市場的寡頭競爭中，隨著存儲器價格攀升，三星成為最大贏家，一路高歌猛進，而由此巨虧的東芝(Toshi-BA)半導體卻陷入尷尬境地。同時，漲價侵蝕著原本競爭激烈、利潤微薄的智能手機產業，一路打價格戰的智能手機企業橫迎來史上首次漲價潮。

在這樣的格局中，國產存儲器正在南京、武漢、晉江三地建構著三足鼎立之勢。國家已經下定決心發展存儲器產業，通過自主研發關鍵技術與引入半導體巨頭，在全球存儲器產業的關鍵時刻，能否實現“彎道超車”?

寡頭格局

存儲器是幾乎所有電子產品的關鍵元器件，承擔著信息記憶的功能。半導體存儲器按照產品類型可分為內存(DRAM)和閃存(Flash)兩大類。電子產品斷電后，DRAM儲存的數據會自動消失，Flash則不會消失，存儲的數據會保留下來，供下次使用。

DRAM常見的產品形態主要是內存條，Flash在生活中隨處可見，主要包括microSD卡、UFS(通用閃存存儲)、EMMC(嵌入式多媒體存儲卡)、U盤、SSD(固態硬盤)等。存儲器應用領域十分廣泛，覆蓋范圍從消費電子到工業、汽車、航空航天、軍事、醫療等各個領域。

存儲器屬于半導體三大產品類別之一，市場規模巨大，約占全球半導體總產值的23%。數據顯示，2015年全球DRAM產值約450億美元，全球NAND閃存市場規模約為300億美元，DRAM和NAND閃存總產值在全球半導體存儲器產業的比重高達95%。同時，存儲器是標準化的產品，從歷史上看，存儲器產業隨著庫存、需求、產能等因素變化具有明顯的周期性，而且存儲器毛利率隨著行業周期性波動而劇烈變動。

關鍵的是，存儲器產業的高度集中下，全球呈現寡頭競爭格局。DRAM的主要市場玩家有限，主要包括三星、SK海力士、美光等企業，韓國目前為全球第一大存儲器制造國。根據TrendForce的數據，截至2016年三季度，全球NANDFlash市場份額分布為三星(37%)、東芝(20%)、閃迪(17%)、美光(10%)、海力士(10%)、英特爾(6%)，全球DRAM市場份額分布為三星(50.2%)、海力士(24.8%)、美光(18.5%)、南亞(3.1%)、華邦電子(1.7%)、力晶科技(0.6%)、其他(1.2%)。內存模組廠商包括金士頓、美光等，金士頓是全球第一大內存模組廠商，2015年市占率高達68%。

隨著文字、圖片、語音、視頻等多種類型的數據呈現爆發式增長，存儲器在消費電子產品中的地位越來越重要，同時也是手機、電腦等產品硬件配置升級的重要賣點。目前筆記本電腦內存容量一般為2G～16G，閃存容量為64G～512G，智能手機內存容量為2G～8G，閃存容量為16G～256G。同一個廠家推出的同一款智能手機僅僅因為存儲器容量的不同，價格可能相差數百元到一兩千元。由此可見存儲器對消費電子產品的重要性。

從半導體產業發展史看，在上個世紀，存儲器產業經歷了從美國到日本再到韓國的產業轉移過程。存儲器最早起源于美國，20世紀50年代美國開發出全球首個DRAM芯片，美國曾在DRAM領域長期保持領頭羊的地位。為了集中力量發展半導體產業，日本政府在70年代中期聯合日立、東芝、富士通等五家日本最大的計算機公司成立超大規模集成電路研究協會，到80年代中期日本存儲器產業實現趕超美國。韓國存儲器產業以三星為代表，三星從20世紀80年代初期進入集成電路產業，在國外的技術授權許可下，通過10年的自主研發創新和不懈努力，在1994年成為全球第一的內存制造商和第七大半導體制造商。

漲價背后

2016年下半年開始，存儲器市場出現供需缺口，需求量持續增長。智能手機和服務器市場對內存和SSD需求旺盛，特別是國產品牌手機出貨量持續大幅增長，新一代iPhone產品的推出，需要消耗大量的存儲器產能，同時數據中心建設帶動服務器用存儲器持續增長，固態硬盤在PC中替代機械硬盤也增加了對NAND閃存的需求。

供給持續收縮。三星、海力士等企業正逐步將2DNANDFlash(二維閃存)轉移至3DNANDFlash(三維閃存)，2DNANDFlash基本停止擴產。3DNANDFlash作為一種新興的存儲器，擴產需要較長時間，閃存產能增長幅度放緩。全球主要閃存廠商的3DNANDFlash目前產出超過NAND閃存產量的一半。目前DRAM生產工藝微縮進入到20納米節點，工藝制程繼續微縮、良率提升的難度急劇上升，經濟效益不好，因此，各大DRAM廠對先進技術開發、資本支出持保守態度，DRAM總體產能增長大幅放緩，DRAM供給相對穩定。預計到2018年，隨著3DNANDFlash產能和良率不斷提升以及新增產能陸續投產，存儲器供應緊張局面有望緩解。

這一輪漲價或改變全球存儲器競爭格局。三星成為存儲器漲價的最大贏家，三星有望在2017年超越英特爾，成為全球半導體龍頭。從去年三季度以來，存儲器漲價扭轉了三星在Note7手機大量召回帶來的不利局面。根據ICIn-sights的數據，今年二季度，存儲器持續漲價推動三星半導體部門營收創出新高，有望達到149億美元，高于英特爾的144億美元(預估值)。我們預計三星在未來很長一段時間將主導全球存儲市場的定價權。

與三星半導體高歌猛進不同的是，東芝(Toshiba)半導體業務發展陷入了尷尬境地。東芝公司的2016年財報顯示，公司在美國發展的核電業務出現了巨虧。為扭轉不利局面，東芝管理層欲出售半導體閃存業務。業界認為，東芝閃存業務售價將在180億美元以上。目前，博通(Broadcom)、臺灣鴻海、SK海力士以及西部數據(WD)等公司都對競購表示出了濃厚興趣。更新的消息是，蘋果和亞馬遜將聯手臺灣鴻海競購東芝半導體業務。

究竟花落誰家，或許6月中下旬市場就會給出答案。這也反映出，在全球范圍內，半導體閃存資產仍是一塊炙手可熱的香餑餑。

漲價對下游智能手機和PC廠商來說十分不利。存儲器漲價大幅增加了智能手機和PC廠商的成本，特別是存儲器成本占比相對較高的中低端智能手機，侵蝕了競爭激烈、利潤微薄的智能手機產業，PC廠商則面臨PC出貨下滑與存儲器供給嚴重不足的雙重壓力。

目前部分智能手機已經漲價，幅度在100～500元不等，改變了智能手機以前一直降價的歷史。蘋果新機型6月初正式進入量產，服務器市場對存儲器需求持續增長，國產品牌手機進入銷售旺季，這些因素均加劇了存儲器的供應緊張程度，部分智能手機廠商拿貨可能延遲甚至短期內拿不到貨。根據ICInsights的預計，2017年DRAM價格漲幅將達到39%，閃存(Flash)漲幅也有望達到25%。對PC廠商而言，SSD取代普通硬盤是趨勢，PC行業近年來增速放緩，訂單不穩定也導致存儲器廠商不太愿意投入資源在PC用存儲器上。

中國存儲器產業起步較晚，我國作為全球最重要的存儲器市場，在國家產業政策扶持以及大量資本投入的背景下，通過自主研發關鍵技術與引入半導體巨頭，有望實現存儲器產業的“彎道超車”，在全球競爭中占有一席之地。

目前已形成南京、武漢、晉江三足鼎立之勢。國內存儲器目前主要依靠進口，根據電子信息產業網的數據，我國每年進口的存儲器金額約為600億美元。為此，國家下定決心發展存儲器產業。2016年7月，紫光控股、國家集成電路產業投資基金、湖北國芯產業投資基金合伙企業(有限合伙)和湖北省科技投資集團共同出資240億美元成立了長江存儲。長江存儲主要從事3DNANDFlash的芯片與制造，旗下擁有全資子公司武漢新芯。武漢新芯成立于2006年，2008年開始量產，擁有12英寸集成電路技術研發與生產制造能力，其閃存與影像傳感器制造技術位居世界前列，并且布局了物聯網領域，同時從事SOC、三維集成、MCU平臺等工藝技術的研發與生產。

紫光集團官方網站顯示，由其投資的紫光南京半導體產業基地項目于2017年1月正式簽約落戶南京，總投資超過300億美元，主要產品包括3DNANDFlash、DRAM存儲芯片等，項目一期投資約100億美元，月產芯片10萬片。晉華集成電路官方網站顯示，晉華集成電路是由福建省電子信息集團、晉江能源投資集團等共同設立的集成電路企業，于2016年2月在福建晉江成立，投資56.5億美元，建立12英寸內存(DRAM)晶圓制造生產線，通過與臺聯電合作共同研發先進存儲器技術和制程工藝。