英特爾德國馬格德堡晶圓廠將引入High-NA EUV光刻機快訊
導讀
英特爾近日依德國環保規定公布了其位于德國馬格德堡的 Fab29 晶圓廠項目的藍圖，Fab29.1 和 Fab29.2 兩座廠房整體長 530 米，Fab29.1 和 Fab29.2 兩座廠房高三層。
據德媒 heise 和 Hardwareluxx 報道，英特爾近日依德國環保規定公布了其位于德國馬格德堡的 Fab29 晶圓廠項目的藍圖。
藍圖顯示，英特爾在馬格德堡購入了相當大的一塊土地，目前一期的 Fab29.1 和 Fab29.2 兩棟建筑（圖中藍色部分）及配套設施所占位置僅是總面積的約 1/4。這意味英特爾有望未來在德國進一步擴大生產規模。
據報道，Fab29 項目將采用 380 千伏高壓供電并包含獨立的供電站，英特爾還將建設電池儲能系統來代替傳統的柴油發電機作為備用電源。
Fab29.1 和 Fab29.2 兩座廠房高三層，每層高度在 5.7 至 6.5 米之間，加上用于空調和供暖的屋頂結構，建筑物整體高度達到 36.7 米。其中第二層將成為 High-NA EUV 光刻機的落座地，上下兩層用于材料物流。
Fab29.1 和 Fab29.2 兩座廠房整體長 530 米，寬 153 米，占地面積達約 81000 平方米。
根據IT之家以往報道，英特爾 CEO 帕特?基辛格（Pat Gelsinger）曾于今年年初表示，馬格德堡晶圓廠投產后將擁有世界最先進的芯片制造能力，可生產超越 Intel 18A 制程的尖端芯片。
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